Praca dotyczy wybranych aspektów teorii projektowania analogowych filtrów CMOS Gm-C czasu ciągłego realizowanych w strukturach układowych, wykorzystujących zlinearyzowane wzmacniacze transkonduktancyjne (Gm) i liniowe elementy pojemnościowe (C). Omówiono podstawowe rodzaje analogowych filtrów aktywnych CMOS czasu ciągłego. Przedstawiono ogólną strukturę filtrów Gm-C wraz z opisem macierzowym. Zmodyfikowany opis macierzowy podano również dla filtrów Gm-LC, wykorzystujących dodatkowo monolityczne elementy indukcyjne (L). Określono warunki transformacji układu dołączonego dla tych klas filtrów aktywnych oraz podano odpowiednie zależności analityczne dla równoważnych pod względem transmitancji i małosygnałowych wrażliwości struktur trybu napięciowego i prądowego. Możliwości alternatywnych implementacji układowych analogowych filtrów aktywnych CMOS analizowano również w odniesieniu do koncepcji struktur Gm-RC, w których obok elementów pasywnych RC wykorzystuje się przetworniki transkonduktancyjne, linearyzowane techniką aktywnego sprzężenia typu ?feedback" lub ?feedforward".
Opierając się na metodzie nieliniowych funkcji przenoszenia (NFP) w sensie jąder całkowych Volterry, opracowano model analityczny dla struktury ogólnej filtrów CMOS Gm-C, uwzględniający małe nieliniowości elementów aktywnych i pasywnych. Model ten znajduje zastosowanie w małosygnałowej analizie nieliniowej, która może być realizowana zarówno w dziedzinie czasu, jak i częstotliwości. Uwzględniając formalizm Volterry-Wienera wprowadzono zmodyfikowane postaci funkcji przenoszenia dla tej klasy filtrów, pobudzanych jednym lub wieloma sygnałami harmonicznymi. Na podstawie wprowadzonego opisu matematycznego określono również definicje funkcji przyrostowych wrażliwości nieliniowych dla filtrów Gm-C obu trybów, tj. napięciowego i prądowego. Wprowadzone formuły wrażliwości, jako funkcje częstotliwości i amplitud harmonicznych sygnałów pobudzających, zaproponowano dla określenia kryteriów porównawczych właściwości dynamicznych i słabonielniowych projektowanych struktur filtrów dowolnego rzędu, z różnymi implementacjami układowymi CMOS elementów transkonduktancyjnych. W tym sensie zaproponowano również przydatne w procesie projektowania filtrów CMOS Gm-C miary zniekształceń intermodulacyjnych, które uwzględniają dynamiczny wpływ sinusoidalnych sygnałów wejściowych użytecznych i zakłócających na charakterystyki amplitudowe zmodyfikowanych funkcji przenoszenia tych filtrów.
W rozdziale dotyczącym elementów aktywnych przeprowadzono dyskusje analitycznych metod linearyzacji charakterystyk przejściowych podstawowych przetworników transkonduktacyjnych (tzw. transkonduktorów) oraz ich rozszerzonych aplikacji jako operacyjnych wzmacniaczy transkonduktancyjnych, ang. Operational Transconductance Amplifier (OTA). Implementacje układowe wzmacniaczy oparto na obu rodzajach tranzystorów technologii CMOS, tj. z kanałem typu n i p, modelowanych w rozważanych zakresach pracy jako elementy nieliniowe. Rozważania teoretyczne poparto reprezentatywnymi przykładami nowych koncepcji układowych różnicowych przetworników transkonduktancyjnych. Zaprezentowano ponadto szereg oryginalnych realizacji scalonych operacyjnych wzmacniaczy transkonduktancyjnych CMOS o zwiększonej liniowości i zakresie dynamiki w stosunku do podobnych opracowań prezentowanych w literaturze przedmiotu.
W części końcowej pracy, obok wykazu przedmiotowej literatury i wybranych zagadnień z zakresu modelowania, analizy i syntezy analogowych filtrów Gm-C, przedstawiono reprezentatywne przykłady realizacji tej klasy filtrów w technologiach CMOS. Z przeprowadzonych badań szczególnie cenny jest fakt, że uzyskane wyniki eksperymentalne pozytywnie zweryfikowały oparte na przesłankach teoretycznych koncepcje programowalnych w szerokim zakresie częstotliwości pracy układów monolitycznych filtrów CMOS Gm-C.
Spis treści:
WYKAZ WAŻNIEJSZYCH OZNACZEŃ, SKRÓTÓW I SYMBOLI
1. WSTĘP
2. OGÓLNA STRUKTURA UKŁADOWA FILTRÓW Gm-C
2.1. Wprowadzenie
2.2. Zunifikowany opis macierzowy struktur napięciowych i prądowych
2.3. Synteza filtrów Gm-C zmiennych stanu
2.4. Zmodyfikowana struktura filtrów Gm-LC czasu ciągłego
2.5. Analiza wrażliwości
3. OPIS FILTRÓW Gm-C METODĄ SZEREGÓW VOLTERR'Y
3.1. Podstawowe zależności
3.2. Struktura ogólna filtrów Gm-C w reprezentacji modelu Volterry-Vienera
3.3. Analiza symboliczna filtrów Gm-C metodą nieliniowych funkcji przenoszenia
3.4. Zmodyfikowana funkcja przenoszenia
3.5. Podsumowanie
4. PRZYROSTOWA WRAŻLIWOŚĆ SŁABONIELINIOWA
4.1. Definicja i miara przyrostowej wrażliwości slabonieliniowej
4.2. Podsumowanie
5. ZNIEKSZTAŁCENIA CHARAKTERYSTYK AMPLITUDOWYCH FILTRÓW Gm-C
5.1. Wprowadzenie
5.2. Miary zniekształceń kompresji i ekspansji
5.3. Zniekształcenia odczulania charakterystyk amplitudowych
5.4. Podsumowania
6. METODY LINEARYZACJI UKŁADÓW WZMACNIACZY TRANSKONDUKTANCYJNYCH CMOS
6.1. Wprowadzenie
6.2. Przetwornik napięciowo-prądowy w układzie pary różnicowej MOS
6.3. Wzmacniacz transkonduktancyjny CMOS w konfiguracji krzyżowej
6.4. Linearyzacja w układach z tranzystorami MOS w zakresie triodowym
6.5. Układy par różnicowych MOS polaryzowanych źródłem napięciowym
6.6. Linearyzacja metodą sumowania/odejmowania prądów
6.7. Układy wzmacniaczy transkonduktancyjnych klasy AB
6.8. Procedura linearyzacji układów ze sprzężeniem ?Feedforward"
6.9. Podsumowanie
7. PROJEKTOWANIE FILTRÓW CMOS Gm-C W STRUKTURACH PROGRAMOWALNYCH
7.1. Konfigurowalny blok analogowy - CAB
7.2. Struktura programowalnego wzmacniacza OTA
7.3. Programowalna matryca pojemności CEq
7.4. Realizacja układowa filtru Gm-C typu Leap-Frog
7.5. Podsumowanie
8. PODSUMOWANIE
BIBLIOGRAFIA
STRESZCZENIE W JĘZYKU POLSKIM
STRESZCZENIE W JĘZYKU ANGIELSKIM