Energoelektronika stanowi obecnie jedną
z ważnych dziedzin techniki warunkujących postęp w gospodarce
światowej. Dynamiczny rozwój tej dziedziny elektryki został
spowodowany wprowadzeniem technologii mikroelektronicznych do
produkcji półprzewodnikowych przyrządów mocy. Innym czynnikiem
stymulującym rozwój techniki przekształtnikowej jest powszechne
wprowadzenie systemów mikroprocesorowych do układów sterowania
pracą przekształtników energoelektronicznych
Pojawienie się na rynku światowym
nowych rodzajów w pełni sterowalnych przyrządów mocy, do których
należą polowe (unipolarne) tranzystory mocy (MOSFET), tranzystory
bipolarne z izolowaną bramką (IGBT), tranzystory elektrostatyczne
(SITH) oraz tyrystory sterowane napięciowo (MCT), a szczególnie
tyrystory GCT i IGCT spowodowały zasadnicze zmiany w projektowaniu i
konstrukcji układów energoelektronicznych. Wszystkie te przyrządy
mają bardzo krótkie czasy przełączeń i umożliwiają budowę
układów przekształtnikowych zdolnych do pracy przy
częstotliwościach do około stu kiloherców.
W książce omówiono również zasady
działania, właściwości i główne charakterystyki eksploatacyjne
nowych wysokonapięciowych diod szybkich (np. MPS) oraz tyrystorów
polowych sterowanych bramkami MOS. Część tych przyrządów jest
jeszcze niedostępna na rynku, ale w laboratoriach rozwojowych trwają
intensywne prace nad doskonaleniem ich przemysłowych procesów
produkcyjnych. Informacje dotyczące znanych od wielu lat
półprzewodnikowych przyrządów mocy (konwencjonalne diody
prostownicze, tyrystory SCR, tranzystory bipolarne BJT) zostały
podane w sposób bardziej zwięzły niż informacje na temat
tyrystorów wyłączalnych GTO, GCT i IGCT oraz tranzystorów MOSFET
i IGBT.
Podane w książce nazewnictwo oraz
oznaczenia literowe parametrów półprzewodnikowych przyrządów
mocy są zgodne z polskimi normami PN, które są identyczne z
normami międzynarodowymi oraz europejskimi EN.
Wprowadzono również encyklopedyczne
informacje związane z układami energoelektronicznymi, ich
zastosowaniem i zasadami bezpiecznej eksploatacji. Wiąże się to z
podkreśleniem wiodącej roli przyrządów półprzewodnikowych w
tych układach oraz stymuluje u Czytelnika większe zainteresowanie
urządzeniami energoelektronicznymi, które decydują o modernizacji
i restrukturyzacji przemysłu krajowego.
Spis treści
- Wiadomości wstępne
- Przyrząd półprzewodnikowy
- Dioda prostownicza
półprzewodnikowa
- Tranzystor
- Tyrystor
- Idealny łącznik półprzewodnikowy
- Półprzewodnikowe przyrządy
sygnałowe i energoelektroniczne
- Grupy półprzewodnikowych
przyrządów mocy
- Obudowy i sposoby chłodzenia
półprzewodnikowych przyrządów mocy
- Dane znamionowe przyrządów
półprzewodnikowych
- Dopuszczalne i graniczne wartości
parametrów przyrządów półprzewodnikowych
- System oznaczeń literowych
parametrów przyrządów półprzewodnikowych
- Informacje katalogowe o
przyrządach półprzewodnikowych
- Cechy półprzewodnikowych
przyrządów energoelektronicznych
- Energoelektronika
- Historia energoelektroniki
- Energoelektronika i technika
- Normalizacja międzynarodowa w
zakresie energoelektroniki
- Polskie normy w zakresie
energoelektroniki
- Ocena jakości podzespołów
elektronicznych
- Jakość urządzeń
energoelektronicznych
- Rozwój energoelektroniki
- ZASADA DZIAŁANIA
- Złącze PN
- Niespolaryzowane złącze PN
- Polaryzacja złącza PN w kierunku
przewodzenia
- Polaryzacja złącza PN w kierunku
wstecznym
- Powielanie lawinowe
- Złącze o strukturze PIN
- Struktura NPN
- Wsteczna polaryzacja złącza
kolektorowego w strukturze NPN
- Polaryzacja kolektora i emitera w
strukturze NPN
- Działanie tranzystora NPN
- Polowy tranzystor mocy
- Pasożytnicza struktura
tranzystora polowego
- Tranzystor bipolarny z izolowaną
bramką
- Polaryzacja struktury PNPN w
kierunku przewodzenia
- Stan blokowania struktury PNPN
- Stan przełączania struktury PNPN
- Wpływ impulsu bramki na
przełączanie tyrystora
- Stan zaworowy struktury PNPN
- Wpływ prądu bramki na wartość
prądu wstecznego
- Odmiany tyrystorów załączanych
impulsem bramkowym
- Zasada działania tyrystora
wyłączalnego
- Zasada działania tyrystora
obukierunkowego
- Przełączanie struktur
wielowarstwowych strumieniem światła
- RODZAJE PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
PRZYRZĄDÓW MOCY
- Klasyfikacja półprzewodnikowych
przyrządów energoelektronicznych
- Przyrządy półprzewodnikowe
wielkoprądowe
- Przyrządy półprzewodnikowe
wysokonapięciowe
- Diody i tyrystory lawinowe
- Diody i tyrystory szybkie
- Dioda PIN
- Dioda Schottky (unipolarna)
- Dioda MPS
- Tranzystory
- Analogie między elektrodami i
parametrami tranzystorów polowych (unipolarnych) i bipolarnych
- Bipolarny złączowy tranzystor
mocy
- Zjawisko drugiego przebicia w
tranzystorze bipolarnym
- Podział polowych tranzystorów
mocy
- Tranzystor polowy (unipolarny)
- Tranzystor polowy o superzłączach
- Tranzystor elektrostatyczny
- Tranzystor bipolarny z izolowaną
bramką
- Odmiany tranzystorów IGBT
- Budowa tranzystora T-IGBT z
bramką rowkową
- Tranzystor boczny L-IGBT
- Wysokonapięciowe tranzystory IGBT
- Struktura tranzystora
pasożytniczego w tranzystorze IGBT
- Tranzystor z bramką o wzbogaconym
wstrzykiwaniu
- Tyrystory
- Tyrystor z bramką wzmacniającą
- Tyrystor impulsowy
- Tyrystor obukierunkowy
- Fototyrystor
- Optotyrystor
- Tyrystor wyłączalny
- Tyrystor komutowany z bramką
- Tyrystor wyłączalny IGCT
- Tyrystor elektrostatyczny
- Tyrystory polowe sterowane
bramkami MOS
- Tyrystor polowy MCT
- Tyrystor polowy BRT
- Tyrystor polowy EST
- Inne przyrządy
energoelektroniczne
- TECHNOLOGIA
- Krzem w produkcji przyrządów
półprzewodnikowych
- Ruchliwość nośników ładunku w
półprzewodniku
- Wytwarzanie monokryształu krzemu
- Rezystywność krzemu
- Krzem neutronowy
- Obróbka mechaniczna płytki
krzemowej
- Obróbka chemiczna płytki
krzemowej
- Materiały stosowane przy
domieszkowaniu krzemu
- Wprowadzenie domieszek do krzemu
technologią dyfuzyjną
- Epitaksja
- Implantacja jonów
- Wymiar charakterystyczny w
strukturach półprzewodnikowych
- Fotolitografia w technologii
struktur wielowarstwowych
- Profilowanie krawędzi struktur
wielowarstwowych
- Zabezpieczanie powierzchni
struktury półprzewodnikowej
- Pierścienie ochronne w
strukturach półprzewodnikowych
- Kontakty omowe
- Skracanie czasu życia nośników
mniejszościowych
- Mikroelektronika a
półprzewodnikowe przyrządy mocy
- Klasyfikacja technologii
- Wykonywanie półprzewodnikowych
struktur wielowarstwowych
- Planarna struktura tranzystora
MOSFET
- Tranzystor MOSFET z bramką
rowkową
- Wytwarzanie tranzystorów IGBT z
bramkami rowkowymi
- Zautomatyzowane projektowanie
struktur półprzewodnikowych
- Wytwarzanie układów scalonych
mocy
- Modyfikacja produkcji przyrządów
energoelektronicznych
- Nowe materiały półprzewodnikowe
- KONSTRUKCJA
- Obudowy półprzewodnikowych
przyrządów mocy
- Właściwości obudów
półprzewodnikowych przyrządów mocy
- Konstrukcja półprzewodnikowych
przyrządów mocy
- Konstrukcja tranzystora
bipolarnego mocy
- Budowa tranzystora polowego
(unipolarnego)
- Budowa tranzystora
elektrostatycznego
- Budowa tranzystora bipolarnego z
izolowaną bramką
- Budowa tyrystora konwencjonalnego
- Konstrukcja zwartego emitera w
tyrystorach
- Konstrukcja bramek w tyrystorach
- Budowa tyrystora wyłączalnego
- Budowa fototyrystora dużej mocy
- Budowa tyrystora komutowanego
bramką
- Budowa tyrystora
elektrostatycznego
- Budowa tyrystora polowego
- Konstrukcja zintegrowanych
układów hybrydowych
- Konstrukcja monolitycznych
układów scalonych mocy
- Kierunki rozwoju konstrukcji
układów scalonych mocy
- Przyrządy półprzewodnikowe o
konstrukcji lutowanej
- Wewnętrzne dociski sprężynowe w
przyrządach półprzewodnikowych
- Konstrukcja przyrządów
półprzewodnikowych z dociskiem zewnętrznym
- Moduły elektroizolowane
- Wytrzymałość mechaniczna
przyrządów półprzewodnikowych
- Zestaw przyrząd półprzewodnikowy
- radiator z chłodzeniem jednostronnym
- Zestaw przyrząd półprzewodnikowy
- radiator z chłodzeniem dwustronnym
- Bloki wieloelementowe
- Wymiary gabarytowe i montażowe
półprzewodnikowych przyrządów mocy
- PARAMETRY I CHARAKTERYSTYKI
STATYCZNE
- Stany ustalone
- Charakterystyki napięciowo -
prądowe
- Klasyfikacja napięciowa diód i
tyrystorów
- Klasyfikacja prądowa diod i
tyrystorów
- Charakterystyka napięciowo -
proądowa diody
- Charakterystyki w stanie
przewodzenia krzemowych diod Schottky
- Charakterystyki w stanie
przewodzenia wysokonapięciowych diod
- Wpływ temperatury na
charakterystyki U-I diod
- Właściwości bipolarnego
złączowego tranzystora mocy
- Wpływ obwodu sterującego
tranzystora bipolarnego na wartość napięcia U(CE)
- Obszar bezpiecznej pracy
tranzystora bipolarnego
- Charakterystyka tranzystora
polowego
- Charakterystyka tranzystora
elektrostatycznego
- Charakterystyka tranzystora
bipolarnego z izolowaną bramką
- Obszary bezpiecznej pracy
tranzystora IGBT
- Wpływ temperatury na
charakterystyki tranzystora IGBT
- Charakterystyka napięciowo -
prądowa obwodu głównego tyrystora SCR
- Aproksymacja charakterystyki
napięciowo - prądowej w stanie przewodzenia diod i tyrystorów
- Prąd zatrzaskiwania tyrystora
- Prąd podtrzymania tyrystora
- Charakterystyka napięciowo -
prądowa bramki tyrystorach
- Wpływ temperatury na parametry
bramki tyrystorach
- Wpływ prądu bramki na kształt
charakterystyki U-I tyrystora
- Wpływ temperatury na
charakterystyki napięciowo - prądowe tyrystorów
- Charakterystyki tyrystora
obukierunkowego
- Charakterystyka U-I fototyrystora
- Charakterystyka napięciowo -
prądowa tyrystora wyłączalnego
- Charakterystyka U-I tyrystora
komutowanego bramką
- Charakterystyka tyrystora
elektrostatycznego
- Charakterystyka wyjściowa
tyrystora polowego MCT
- Charakterystyka wyjściowa
tyrystora polowego EST
- Współzależność parametrów
przyrządów półprzewodnikowych
- PARAMETRY I CHARAKTERYSTYKI
DYNAMICZNE
- Stany przejściowe w diodach
prostowniczych
- Właściwości diod prostowniczych
przy odzyskiwaniu zdolności zaworowych
- Wpływ parametrów elektrycznych na
właściwości dynamiczne diod prostowniczych
- Właściwości dynamiczne
tranzystora bipolarnego
- Właściwości dynamiczne
tranzystora polowego (unipolarnego)
- Właściwości dynamiczne
tranzystora elektrostatycznego
- Właściwości dynamiczne
tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką
- Zależności między napięciem
nasycenia i czasem wyłączania tranzystorów IGBT
- Wpływ temperatury na procesy
łączeniowe w tranzystorach IGBT
- Narażenia występujące w
tranzystorze IGBT przy obciążeniu indukcyjnym
- Dynamiczne charakterystyki
napięciowo-prądowe tyrystorach
- Właściwości dynamiczne tyrystora
konwencjonalnego
- Wpływ parametrów elektrycznych na
czas załączania i wyłączania tyrystorach
- Rola ładunku przejściowego przy
wyłączaniu tyrystorach
- Wpływ stromości narastania
napięcia blokowania na pracę tyrystora
- Wpływ stromości narastania prądu
przewodzenia na pracę tyrystorach
- Wpływ parametrów bramki na
właściwości dynamiczne tyrystorów
- Stany przejściowe w tyrystorach
obukierunkowych
- Stany przejściowe w
optoelektronicznych przyrządach mocy
- Właściwości dynamiczne tyrystora
wyłączalnego
- Właściwości dynamiczne tyrystora
komutowanego bramką
- Właściwości dynamiczne tyrystora
elektrostatycznego
- Właściwości dynamiczne tyrystora
polowego MCT
- Wpływ temperatury na parametry
dynamiczne przyrządów
- WŁAŚCIWOŚCI CIEPLNE I OBCIĄŻALNOŚĆ
PRĄDOWA
- Dopuszczalna temperatura
struktury
- Wpływ temperatury na pracę
przyrządów półprzewodnikowych
- Wyznaczanie strat mocy w
przyrządach półprzewodnikowych
- Wyznaczanie strat mocy diod i
tyrystorów w stanie przewodzenia
- Wyznaczanie strat mocy
tranzystorów w stanie przewodzenia
- Wyznaczanie strat mocy w stanach
przejściowych przyrządów półprzewodnikowych
- Straty mocy w obwodach sterowania
przyrządów półprzewodnikowych
- Zależność strat mocy od
częstotliwości łączeń w tranzystorach mocy
- Wpływ diod zwrotnych na całkowite
straty mocy w układach przekształtnikowych
- Chłodzenie półprzewodnikowych
przyrządów mocy
- Dobór radiatora do
półprzewodnikowego przyrządu mocy
- Wewnętrzna rezystancja cieplna
przyrządu półprzewodnikowego
- Rezystancja cieplna przy
jednostronnym chłodzeniu
- Rezystancja cieplna przy
dwustronnym chłodzeniu
- Rezystancja cieplna przejścia
obudowa - radiator
- Rezystancja cieplna radiatora
- Model cieplny półprzewodnikowych
przyrządów mocy
- Przejściowa impedancja cieplna
- Przejściowa impedancja cieplna
przy pracy impulsowej
- ustalona rezystancja cieplna dla
obciążenia impulsowego
- Niestabilność cieplna
półprzewodnikowych przyrządów mocy
- Zasada obliczeń cieplnych metodą
superpozycji
- obciążalność prądowa przyrządów
przy małych częstotliwościach
- Obciążalność prądowa
półprzewodnikowych przyrządów mocy przy zwiększonych
częstotliwościach
- Przeciążalność prądowa
półprzewodnikowych przyrządów mocy
- Niepowtarzalny szczytowy prąd
przewodzenia
- krzywa roboczej przeciążalności
prądowej
- krzywa granicznej przeciążalności
prądowej
- Parametr przeciążeniowy diod i
tyrystorów
- Systemy chłodzenia przyrządów
dużej mocy
- ENERGOELEKTRONICZNE UKŁADY SCALONE
- Energoelektroniczny układ scalony
- Inteligentny układ scalony
- Specjalizowane układy scalone
- Technologia monolityczna
- Technologia hybrydowa
- Montaż układów scalonych
- Produkcja układów scalonych
- Zastosowanie układów scalonych
- MODUŁY ENERGOELEKTRONICZNE
- Proste moduły energoelektroniczne
- Właściwości modułów IPEM
- Obudowy modułów
- Projektowanie zintegrowanych
modułów energoelektronicznych
- Zintegrowane moduły pasywne
- Lutowane łączenie detali modułów
- Bezpośrednie łączenie metali z
ceramiką
- Zastosowanie płytek podłożowych z
kompozytu AISiC
- Wytwarzanie modułów
zintegrowanych
- Rozwój modułów
energoelektronicznych
- TECHNIKA POMIAROWA
- Pomiary parametrów
półprzewodnikowych przyrządów dużej mocy
- Znajomość parametrów przyrządów
energoelektronicznych
- Aparatura do pomiaru parametrów
przyrządów
- Oscyloskop elektroniczny w
miernictwie półprzewodnikowym
- Komputery osobiste w technice
pomiarowej przyrządów
- Bezindukcyjne boczniki do pomiaru
przebiegów prądowych
- Cyfrowe przyrządy pomiarowej
- Wpływ kontroli międzyoperacyjnej
na jakość przyrządów półprzewodnikowych
- Badania dla oceny przyrządów
energoelektronicznych
- Próby środowiskowe przyrządów
- Temperatura obudowy przyrządów
półprzewodnikowych i radiatorów
- Temperatura krzemowych struktur
półprzewodnikowych
- Termometry reagujące na
podczerwień
- Badania termograficzne
- Ocena trwałości przyrządów
półprzewodnikowych
- Testery do fabrycznych badań
kontrolnych przyrządów półprzewodnikowych
- Automatyzacja pomiarów przyrządów
półprzewodnikowych
- Badania w laboratoriach
specjalistycznych
- Legalizacja narzędzi pomiarowych
- Przyszłość metrologii
półprzewodnikowych przyrządów energoelektronicznych
- Badania urządzeń
energoelektronicznych
- Napięcie probiercze przy
badaniach urządzeń energoelektronicznych
- ELEKTRONICZNE UKŁADY STERUJĄCE
- Struktura układów sterujących
- Regulatory elektroniczne w
układach sterowania
- Regulatory o sztucznej
inteligencji
- Układy przekształtnikowe z
otwartymi i zamkniętymi pętlami regulacji
- Klasyfikacja układów sterowania i
regulacji
- Zadajniki
- Sterowniki urządzeń
półprzewodnikowych
- układy sterujące przyrządami
półprzewodnikowymi
- Sterowanie tranzystorami
bipolarnymi
- Sterowanie tranzystorami polowymi
MOSFET
- Sterowanie tranzystorami
elektrostatycznymi
- Sterowanie tranzystorami
bipolarnymi z izolowaną bramką
- Sterowanie tyrystorami
obukierunkowymi
- Sterowanie fototyrystorów
- Sterowanie tyrystorami
wyłączalnymi
- Sterowanie tyrystorami z
zintegrowaną bramką
- Sterowanie tyrystorami polowymi
MCT
- Układy załączania bramkowego
tyrystorów połączonych grupowo
- Sterowanie z modulacją szerokości
impulsów
- Sterowanie wektorowe
- Cyfrowe układy sterowania i
specjalizowane układy scalone (ASIC)
- Układy sterowanie jako
zabezpieczenia przetężeniowe przyrządów półprzewodnikowych
- Sterowanie inteligentnymi
modułami energetycznymi
- Mikroprocesor
- Mikroprocesory w układach
sterowania przekształtników
- Przetworniki sygnałów
- Przetworniki i czujniki
pomiarowej
- Zasilacze układów sterujących
- Budowa układów sterujących
- Montaż powierzchniowy
- Zabezpieczenie układów sterowania
przed zakłóceniami
- Kierunki rozwoju układów
sterowania
- PODSTAWOWE SKŁĄDNIKI URZĄDZEŃ
ENERGOELEKTRONICZNYCH
- Zawory elektryczne stosowane w
układach energoelektronicznych
- Transformatory przekształtnikowe
- Aparatura rozdzielcza
- Dławiki stosowane w urządzeniach
energoelektronicznych
- Kondensatory energoelektroniczne
- Superkondensatory
- Obwody odciążające w układach
półprzewodnikowych
- Sterowniki i układy scalone
- Aparatura pomiarowa i
monitorująca
- Czujniki
- Układy zabezpieczające
- Bezpieczniki topikowe do
zabezpieczania przyrządów półprzewodnikowych
- Szafy i obudowy układów
przekształtnikowych
- Rozmieszczenie podzespołów układu
przekształtnikowego w szafach
- Budowa modułowa i zwarta układów
przekształtnikowych
- Połączenia główne układów
przekształtnikowych
- Połączenia zewnętrzne o małych
indukcyjnościach
- Konstrukcja kompletnego
urządzenia przekształtnikowego
- Powietrzne układy chłodzenia
- Cieczowe układy chłodzenia
- UKŁADY ENERGOELEKTRONICZNE
- Przekształcanie energii
elektrycznej
- Urządzenia energoelektroniczne
- Podział urządzeń
energoelektronicznych
- Podział przekształtników pod
względem rodzaju komutacji
- Wymuszone wyłączanie tyrystorów
konwencjonalnych
- Prostownik jednofazowy
- Prostownik wielofazowy
- Przekształtnik sterowany
- przekształtnik półsterowany
- Praca falownikowa przekształtnika
sterowanego
- Przekształtnik rewersyjny
- Dioda zerowa w przekształtniku
- Przeszkształtniki prądu zmiennego
- Bezpośrednie przekształtniki
częstotliwości o komutacji zewnętrznej
- Bezpośrednie przekształtniki
częstotliwości o komutacji wewnętrznej
- Pośrednie przekształtniki
częstotliwości o komutacji zewnętrznej
- Energoelektroniczne sterowniki
prądu przemiennego
- Energoelektroniczne sterowniki
prądu przemiennego
- Energoelektroniczne łączniki
prądu przemiennego
- Przekształtniki prądu stałego na
prąd przemienny
- Falowniki napięcia
- Falowniki prądu
- Regulacja napięcia falownika
- Falowniki wielopoziomowe
- Przekształtniki rezonansowe
- Przekształtniki quasi-rezonansowe
- Przekształtniki multirezonansowe
- Przekształtniki matrycowe
- Przekształtniki prądu stałego
- Regulacja napięcia w
przekształtnikach prądu stałego
- Przekształtniki impulsowe prądu
stałego
- Przekształtniki pośrednie prądu
stałego
- Energoelektroniczne łączniki
prądu stałego
- Filtry wygładzające w układach
energoelektronicznych
- PROJEKTOWANIE I BUDOWA URZĄDZEŃ
ENERGOELEKTRONICZNYCH
- Zintegrowany sposób projektowania
urządzeń energoelektronicznych
- Symulacja komputerowa układów
energoelektronicznych
- Wspomaganie komputerowe
projektowania układów energoelektronicznych
- Współpraca równoległa przyrządów
półprzewodnikowych
- Współpraca szeregowa przyrządów
półprzewodnikowych
- Zabezpieczanie przeciweksplozyjne
przyrządów dużej mocy
- Zabezpieczanie od skutków zwarć
tranzystorów IGBT
- Ograniczanie stromości narastania
prądu w przyrządach półprzewodnikowych
- Koordynacja izolacji
- Rodzaje izolacji
- Wpływ narażeń przepięciowych na
przyrządy półprzewodnikowego
- Zabezpieczenie przyrządów
półprzewodnikowych od przepięć komutacyjnych
- Zabezpieczenie przyrządów
półprzewodnikowych od przepięć zewnętrznych
- Ograniczenie stromości narastania
napięcia blokowania w przyrządach półprzewodnikowych
- Oddziaływanie wzajemne w układach
przekształtnikowych
- Kompatybilność elektromagnetyczna
- Układy sterowania i regulacji
- Przekształtniki o twardym i
miękkim przełączaniu przyrządów półprzewodnikowych
- Konstrukcja i montaż urządzeń
energoelektronicznych
- Zestawy obwodów głównych
- Obudowy urządzeń
energoelektronicznych
- Niezawodność układów
energoelektronicznych
- Systemowa integracja
przekształcania energii elektrycznej
- ZASTOWANIE URZĄDZEŃ
ENEGROELKTRONICZNYCH
- Zastosowanie urządzeń
energoelektronicznych w gospodarce
- Zastosowanie przekształtników
- Przekształtniki w urządzeniach
powszechnego użytku
- Zastosowanie przyrządów
półprzewodnikowych w technice oświetleniowej
- Napędy energoelektroniczne
- Napędy energoelektroniczne z
silnikami prądu stałego
- Napędy energoelektroniczne z
silnikami prądu przemiennego
- Urządzenia enegroelektroniczne w
trakcji
- Układy energoelektroniczne w
pojazdach samochodowych
- Napędy obrabiarek
- Serwonapędy
- Energoelektroniczne sterowniki
napięcia przemiennego
- Zasilacze napięcia stałego małej
mocy
- Półprzewodnikowe układy
wzbudzenia maszyn synchronicznych
- Energoelektroniczny napęd pomp i
wentylatorów
- Kaskady przekształtnikowe
- Urządzenia energoelektroniczne w
górnictwie
- Napędy energoelektroniczne w
walcowniach
- Napędy energoelektroniczne
dźwignic
- Urządzenia energoelektroniczne na
statkach
- Układy energoelektroniczne w
technice lotniczej i kosmicznej
- Urządzenia energoelektroniczne w
przemyśle papierniczym i poligraficznym
- Układy energoelektroniczne w
maszynach włókienniczych
- Urządzenia energoelektroniczne w
rolnictwie i przemyśle spożywczym
- Układy energoelektroniczne w
urządzeniach elektrotermicznych
- Zastosowanie tranzystorów i
tyrystorów w grzejnictwie indukcyjnym
- Przekształtniki spawalnicze
- Urządzenia zasilające
galwanizerne
- Przekształtniki w procesach
elektrochemicznych i elektrometalurgicznych
- Prostowniki do ładowania baterii
akumulatorów
- Aparatura elektromedyczna
- Systemy bezprzerwowego zasilania
napięciem przemiennym
- Systemy przesyłowe energii
elektrycznej liniami prądu stałego o wysokim napięciu (HVDC)
- Układy elastycznego przesyłu
prądu przemiennego FACTS
- Systemy elektroenergetyczne
- Odnawialne źródła energii i
energoelektronika
- Ogniwa paliwowe
- Magazynowanie energii
- Jakość energii elektrycznej a
urządzenia energoelektroniczne
- EKSPLOATACJA URZĄDZEŃ
ENERGOELEKTRONICZNYCH
- Energoelektronika i ochrona
środowiska
- Warunki eksploatacji
- układ przekształtnikowy a sieć
zasilająca
- Normalne warunki środowiskowe
- Specjalne warunki pracy
- Przyjęcie urządzenia do
eksploatacji
- Ochrona przeciwporażeniowa
urządzeń energoelektronicznych
- Rodzaje ochrony
- Ochrona przed dotykiem
bezpośrednim
- Ochrona przed dotykiem pośrednim
- Bezpieczeństwo przeciwpożarowe w
urządzeniach energoelektronicznych
- Skuteczność systemu chłodzenia
- Klimatyzacja urządzeń
energoelektronicznych
- Montaż przyrządów
energoelektronicznych w układach
- Okresowe pomiary kontrolne
- Mechanizmy uszkodzeń przyrządów
energoelektronicznych
- Awarie dyskretnych przyrządów
półprzewodnikowych dużej mocy
- Awarie modułów z tranzystorami
IGBT
- Wymiana uszkodzonych przyrządów
półprzewodnikowych
- Diagnostyka urządzeń
przekształtnikowych
- Usterki obwodu głównego
przekształtnika
- Usterki w układzie sterowania
- Konstrukcja przekształtnika a
usuwanie usterek
- Zakłócenia radioelektryczne
- Siły dynamiczne
- klasy odporności
przekształtnikach
- Promieniowanie jonizujące a
półprzewodnikowe przyrządy mocy
- Recykling