Energoelektronika stanowi obecnie jedną z ważnych dziedzin techniki warunkujących postęp w gospodarce światowej. Dynamiczny rozwój tej dziedziny elektryki został spowodowany wprowadzeniem technologii mikroelektronicznych do produkcji półprzewodnikowych przyrządów mocy. Innym czynnikiem stymulującym rozwój techniki przekształtnikowej jest powszechne wprowadzenie systemów mikroprocesorowych do układów sterowania pracą przekształtników energoelektronicznych

Pojawienie się na rynku światowym nowych rodzajów w pełni sterowalnych przyrządów mocy, do których należą polowe (unipolarne) tranzystory mocy (MOSFET), tranzystory bipolarne z izolowaną bramką (IGBT), tranzystory elektrostatyczne (SITH) oraz tyrystory sterowane napięciowo (MCT), a szczególnie tyrystory GCT i IGCT spowodowały zasadnicze zmiany w projektowaniu i konstrukcji układów energoelektronicznych. Wszystkie te przyrządy mają bardzo krótkie czasy przełączeń i umożliwiają budowę układów przekształtnikowych zdolnych do pracy przy częstotliwościach do około stu kiloherców.

W książce omówiono również zasady działania, właściwości i główne charakterystyki eksploatacyjne nowych wysokonapięciowych diod szybkich (np. MPS) oraz tyrystorów polowych sterowanych bramkami MOS. Część tych przyrządów jest jeszcze niedostępna na rynku, ale w laboratoriach rozwojowych trwają intensywne prace nad doskonaleniem ich przemysłowych procesów produkcyjnych. Informacje dotyczące znanych od wielu lat półprzewodnikowych przyrządów mocy (konwencjonalne diody prostownicze, tyrystory SCR, tranzystory bipolarne BJT) zostały podane w sposób bardziej zwięzły niż informacje na temat tyrystorów wyłączalnych GTO, GCT i IGCT oraz tranzystorów MOSFET i IGBT.

Podane w książce nazewnictwo oraz oznaczenia literowe parametrów półprzewodnikowych przyrządów mocy są zgodne z polskimi normami PN, które są identyczne z normami międzynarodowymi oraz europejskimi EN.

Wprowadzono również encyklopedyczne informacje związane z układami energoelektronicznymi, ich zastosowaniem i zasadami bezpiecznej eksploatacji. Wiąże się to z podkreśleniem wiodącej roli przyrządów półprzewodnikowych w tych układach oraz stymuluje u Czytelnika większe zainteresowanie urządzeniami energoelektronicznymi, które decydują o modernizacji i restrukturyzacji przemysłu krajowego.

Spis treści

• Wykaz oznaczeń

1. Wiadomości wstępne
   1. Przyrząd półprzewodnikowy
   2. Dioda prostownicza półprzewodnikowa
   3. Tranzystor
   4. Tyrystor
   5. Idealny łącznik półprzewodnikowy
   6. Półprzewodnikowe przyrządy sygnałowe i energoelektroniczne
   7. Grupy półprzewodnikowych przyrządów mocy
   8. Obudowy i sposoby chłodzenia półprzewodnikowych przyrządów mocy
   9. Dane znamionowe przyrządów półprzewodnikowych
   10. Dopuszczalne i graniczne wartości parametrów przyrządów półprzewodnikowych
   11. System oznaczeń literowych parametrów przyrządów półprzewodnikowych
   12. Informacje katalogowe o przyrządach półprzewodnikowych
   13. Cechy półprzewodnikowych przyrządów energoelektronicznych
   14. Energoelektronika
   15. Historia energoelektroniki
   16. Energoelektronika i technika
   17. Normalizacja międzynarodowa w zakresie energoelektroniki
   18. Polskie normy w zakresie energoelektroniki
   19. Ocena jakości podzespołów elektronicznych
   20. Jakość urządzeń energoelektronicznych
   21. Rozwój energoelektroniki
2. ZASADA DZIAŁANIA
   1. Złącze PN
   2. Niespolaryzowane złącze PN
   3. Polaryzacja złącza PN w kierunku przewodzenia
   4. Polaryzacja złącza PN w kierunku wstecznym
   5. Powielanie lawinowe
   6. Złącze o strukturze PIN
   7. Struktura NPN
   8. Wsteczna polaryzacja złącza kolektorowego w strukturze NPN
   9. Polaryzacja kolektora i emitera w strukturze NPN
   10. Działanie tranzystora NPN
   11. Polowy tranzystor mocy
   12. Pasożytnicza struktura tranzystora polowego
   13. Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką
   14. Polaryzacja struktury PNPN w kierunku przewodzenia
   15. Stan blokowania struktury PNPN
   16. Stan przełączania struktury PNPN
   17. Wpływ impulsu bramki na przełączanie tyrystora
   18. Stan zaworowy struktury PNPN
   19. Wpływ prądu bramki na wartość prądu wstecznego
   20. Odmiany tyrystorów załączanych impulsem bramkowym
   21. Zasada działania tyrystora wyłączalnego
   22. Zasada działania tyrystora obukierunkowego
   23. Przełączanie struktur wielowarstwowych strumieniem światła
3. RODZAJE PÓŁPRZEWODNIKOWYCH PRZYRZĄDÓW MOCY
   1. Klasyfikacja półprzewodnikowych przyrządów energoelektronicznych
   2. Przyrządy półprzewodnikowe wielkoprądowe
   3. Przyrządy półprzewodnikowe wysokonapięciowe
   4. Diody i tyrystory lawinowe
   5. Diody i tyrystory szybkie
   6. Dioda PIN
   7. Dioda Schottky (unipolarna)
   8. Dioda MPS
   9. Tranzystory
   10. Analogie między elektrodami i parametrami tranzystorów polowych (unipolarnych) i bipolarnych
   11. Bipolarny złączowy tranzystor mocy
   12. Zjawisko drugiego przebicia w tranzystorze bipolarnym
   13. Podział polowych tranzystorów mocy
   14. Tranzystor polowy (unipolarny)
   15. Tranzystor polowy o superzłączach
   16. Tranzystor elektrostatyczny
   17. Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką
   18. Odmiany tranzystorów IGBT
   19. Budowa tranzystora T-IGBT z bramką rowkową
   20. Tranzystor boczny L-IGBT
   21. Wysokonapięciowe tranzystory IGBT
   22. Struktura tranzystora pasożytniczego w tranzystorze IGBT
   23. Tranzystor z bramką o wzbogaconym wstrzykiwaniu
   24. Tyrystory
   25. Tyrystor z bramką wzmacniającą
   26. Tyrystor impulsowy
   27. Tyrystor obukierunkowy
   28. Fototyrystor
   29. Optotyrystor
   30. Tyrystor wyłączalny
   31. Tyrystor komutowany z bramką
   32. Tyrystor wyłączalny IGCT
   33. Tyrystor elektrostatyczny
   34. Tyrystory polowe sterowane bramkami MOS
   35. Tyrystor polowy MCT
   36. Tyrystor polowy BRT
   37. Tyrystor polowy EST
   38. Inne przyrządy energoelektroniczne
4. TECHNOLOGIA
   1. Krzem w produkcji przyrządów półprzewodnikowych
   2. Ruchliwość nośników ładunku w półprzewodniku
   3. Wytwarzanie monokryształu krzemu
   4. Rezystywność krzemu
   5. Krzem neutronowy
   6. Obróbka mechaniczna płytki krzemowej
   7. Obróbka chemiczna płytki krzemowej
   8. Materiały stosowane przy domieszkowaniu krzemu
   9. Wprowadzenie domieszek do krzemu technologią dyfuzyjną
   10. Epitaksja
   11. Implantacja jonów
   12. Wymiar charakterystyczny w strukturach półprzewodnikowych
   13. Fotolitografia w technologii struktur wielowarstwowych
   14. Profilowanie krawędzi struktur wielowarstwowych
   15. Zabezpieczanie powierzchni struktury półprzewodnikowej
   16. Pierścienie ochronne w strukturach półprzewodnikowych
   17. Kontakty omowe
   18. Skracanie czasu życia nośników mniejszościowych
   19. Mikroelektronika a półprzewodnikowe przyrządy mocy
   20. Klasyfikacja technologii
   21. Wykonywanie półprzewodnikowych struktur wielowarstwowych
   22. Planarna struktura tranzystora MOSFET
   23. Tranzystor MOSFET z bramką rowkową
   24. Wytwarzanie tranzystorów IGBT z bramkami rowkowymi
   25. Zautomatyzowane projektowanie struktur półprzewodnikowych
   26. Wytwarzanie układów scalonych mocy
   27. Modyfikacja produkcji przyrządów energoelektronicznych
   28. Nowe materiały półprzewodnikowe
5. KONSTRUKCJA
   1. Obudowy półprzewodnikowych przyrządów mocy
   2. Właściwości obudów półprzewodnikowych przyrządów mocy
   3. Konstrukcja półprzewodnikowych przyrządów mocy
   4. Konstrukcja tranzystora bipolarnego mocy
   5. Budowa tranzystora polowego (unipolarnego)
   6. Budowa tranzystora elektrostatycznego
   7. Budowa tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką
   8. Budowa tyrystora konwencjonalnego
   9. Konstrukcja zwartego emitera w tyrystorach
   10. Konstrukcja bramek w tyrystorach
   11. Budowa tyrystora wyłączalnego
   12. Budowa fototyrystora dużej mocy
   13. Budowa tyrystora komutowanego bramką
   14. Budowa tyrystora elektrostatycznego
   15. Budowa tyrystora polowego
   16. Konstrukcja zintegrowanych układów hybrydowych
   17. Konstrukcja monolitycznych układów scalonych mocy
   18. Kierunki rozwoju konstrukcji układów scalonych mocy
   19. Przyrządy półprzewodnikowe o konstrukcji lutowanej
   20. Wewnętrzne dociski sprężynowe w przyrządach półprzewodnikowych
   21. Konstrukcja przyrządów półprzewodnikowych z dociskiem zewnętrznym
   22. Moduły elektroizolowane
   23. Wytrzymałość mechaniczna przyrządów półprzewodnikowych
   24. Zestaw przyrząd półprzewodnikowy - radiator z chłodzeniem jednostronnym
   25. Zestaw przyrząd półprzewodnikowy - radiator z chłodzeniem dwustronnym
   26. Bloki wieloelementowe
   27. Wymiary gabarytowe i montażowe półprzewodnikowych przyrządów mocy
6. PARAMETRY I CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE
   1. Stany ustalone
   2. Charakterystyki napięciowo - prądowe
   3. Klasyfikacja napięciowa diód i tyrystorów
   4. Klasyfikacja prądowa diod i tyrystorów
   5. Charakterystyka napięciowo - proądowa diody
   6. Charakterystyki w stanie przewodzenia krzemowych diod Schottky
   7. Charakterystyki w stanie przewodzenia wysokonapięciowych diod
   8. Wpływ temperatury na charakterystyki U-I diod
   9. Właściwości bipolarnego złączowego tranzystora mocy
   10. Wpływ obwodu sterującego tranzystora bipolarnego na wartość napięcia U(CE)
   11. Obszar bezpiecznej pracy tranzystora bipolarnego
   12. Charakterystyka tranzystora polowego
   13. Charakterystyka tranzystora elektrostatycznego
   14. Charakterystyka tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką
   15. Obszary bezpiecznej pracy tranzystora IGBT
   16. Wpływ temperatury na charakterystyki tranzystora IGBT
   17. Charakterystyka napięciowo - prądowa obwodu głównego tyrystora SCR
   18. Aproksymacja charakterystyki napięciowo - prądowej w stanie przewodzenia diod i tyrystorów
   19. Prąd zatrzaskiwania tyrystora
   20. Prąd podtrzymania tyrystora
   21. Charakterystyka napięciowo - prądowa bramki tyrystorach
   22. Wpływ temperatury na parametry bramki tyrystorach
   23. Wpływ prądu bramki na kształt charakterystyki U-I tyrystora
   24. Wpływ temperatury na charakterystyki napięciowo - prądowe tyrystorów
   25. Charakterystyki tyrystora obukierunkowego
   26. Charakterystyka U-I fototyrystora
   27. Charakterystyka napięciowo - prądowa tyrystora wyłączalnego
   28. Charakterystyka U-I tyrystora komutowanego bramką
   29. Charakterystyka tyrystora elektrostatycznego
   30. Charakterystyka wyjściowa tyrystora polowego MCT
   31. Charakterystyka wyjściowa tyrystora polowego EST
   32. Współzależność parametrów przyrządów półprzewodnikowych
7. PARAMETRY I CHARAKTERYSTYKI DYNAMICZNE
   1. Stany przejściowe w diodach prostowniczych
   2. Właściwości diod prostowniczych przy odzyskiwaniu zdolności zaworowych
   3. Wpływ parametrów elektrycznych na właściwości dynamiczne diod prostowniczych
   4. Właściwości dynamiczne tranzystora bipolarnego
   5. Właściwości dynamiczne tranzystora polowego (unipolarnego)
   6. Właściwości dynamiczne tranzystora elektrostatycznego
   7. Właściwości dynamiczne tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką
   8. Zależności między napięciem nasycenia i czasem wyłączania tranzystorów IGBT
   9. Wpływ temperatury na procesy łączeniowe w tranzystorach IGBT
   10. Narażenia występujące w tranzystorze IGBT przy obciążeniu indukcyjnym
   11. Dynamiczne charakterystyki napięciowo-prądowe tyrystorach
   12. Właściwości dynamiczne tyrystora konwencjonalnego
   13. Wpływ parametrów elektrycznych na czas załączania i wyłączania tyrystorach
   14. Rola ładunku przejściowego przy wyłączaniu tyrystorach
   15. Wpływ stromości narastania napięcia blokowania na pracę tyrystora
   16. Wpływ stromości narastania prądu przewodzenia na pracę tyrystorach
   17. Wpływ parametrów bramki na właściwości dynamiczne tyrystorów
   18. Stany przejściowe w tyrystorach obukierunkowych
   19. Stany przejściowe w optoelektronicznych przyrządach mocy
   20. Właściwości dynamiczne tyrystora wyłączalnego
   21. Właściwości dynamiczne tyrystora komutowanego bramką
   22. Właściwości dynamiczne tyrystora elektrostatycznego
   23. Właściwości dynamiczne tyrystora polowego MCT
   24. Wpływ temperatury na parametry dynamiczne przyrządów
8. WŁAŚCIWOŚCI CIEPLNE I OBCIĄŻALNOŚĆ PRĄDOWA
   1. Dopuszczalna temperatura struktury
   2. Wpływ temperatury na pracę przyrządów półprzewodnikowych
   3. Wyznaczanie strat mocy w przyrządach półprzewodnikowych
   4. Wyznaczanie strat mocy diod i tyrystorów w stanie przewodzenia
   5. Wyznaczanie strat mocy tranzystorów w stanie przewodzenia
   6. Wyznaczanie strat mocy w stanach przejściowych przyrządów półprzewodnikowych
   7. Straty mocy w obwodach sterowania przyrządów półprzewodnikowych
   8. Zależność strat mocy od częstotliwości łączeń w tranzystorach mocy
   9. Wpływ diod zwrotnych na całkowite straty mocy w układach przekształtnikowych
   10. Chłodzenie półprzewodnikowych przyrządów mocy
   11. Dobór radiatora do półprzewodnikowego przyrządu mocy
   12. Wewnętrzna rezystancja cieplna przyrządu półprzewodnikowego
   13. Rezystancja cieplna przy jednostronnym chłodzeniu
   14. Rezystancja cieplna przy dwustronnym chłodzeniu
   15. Rezystancja cieplna przejścia obudowa - radiator
   16. Rezystancja cieplna radiatora
   17. Model cieplny półprzewodnikowych przyrządów mocy
   18. Przejściowa impedancja cieplna
   19. Przejściowa impedancja cieplna przy pracy impulsowej
   20. ustalona rezystancja cieplna dla obciążenia impulsowego
   21. Niestabilność cieplna półprzewodnikowych przyrządów mocy
   22. Zasada obliczeń cieplnych metodą superpozycji
   23. obciążalność prądowa przyrządów przy małych częstotliwościach
   24. Obciążalność prądowa półprzewodnikowych przyrządów mocy przy zwiększonych częstotliwościach
   25. Przeciążalność prądowa półprzewodnikowych przyrządów mocy
   26. Niepowtarzalny szczytowy prąd przewodzenia
   27. krzywa roboczej przeciążalności prądowej
   28. krzywa granicznej przeciążalności prądowej
   29. Parametr przeciążeniowy diod i tyrystorów
   30. Systemy chłodzenia przyrządów dużej mocy
9. ENERGOELEKTRONICZNE UKŁADY SCALONE
   1. Energoelektroniczny układ scalony
   2. Inteligentny układ scalony
   3. Specjalizowane układy scalone
   4. Technologia monolityczna
   5. Technologia hybrydowa
   6. Montaż układów scalonych
   7. Produkcja układów scalonych
   8. Zastosowanie układów scalonych
10. MODUŁY ENERGOELEKTRONICZNE
    1. Proste moduły energoelektroniczne
    2. Właściwości modułów IPEM
    3. Obudowy modułów
    4. Projektowanie zintegrowanych modułów energoelektronicznych
    5. Zintegrowane moduły pasywne
    6. Lutowane łączenie detali modułów
    7. Bezpośrednie łączenie metali z ceramiką
    8. Zastosowanie płytek podłożowych z kompozytu AISiC
    9. Wytwarzanie modułów zintegrowanych
    10. Rozwój modułów energoelektronicznych
11. TECHNIKA POMIAROWA
    1. Pomiary parametrów półprzewodnikowych przyrządów dużej mocy
    2. Znajomość parametrów przyrządów energoelektronicznych
    3. Aparatura do pomiaru parametrów przyrządów
    4. Oscyloskop elektroniczny w miernictwie półprzewodnikowym
    5. Komputery osobiste w technice pomiarowej przyrządów
    6. Bezindukcyjne boczniki do pomiaru przebiegów prądowych
    7. Cyfrowe przyrządy pomiarowej
    8. Wpływ kontroli międzyoperacyjnej na jakość przyrządów półprzewodnikowych
    9. Badania dla oceny przyrządów energoelektronicznych
    10. Próby środowiskowe przyrządów
    11. Temperatura obudowy przyrządów półprzewodnikowych i radiatorów
    12. Temperatura krzemowych struktur półprzewodnikowych
    13. Termometry reagujące na podczerwień
    14. Badania termograficzne
    15. Ocena trwałości przyrządów półprzewodnikowych
    16. Testery do fabrycznych badań kontrolnych przyrządów półprzewodnikowych
    17. Automatyzacja pomiarów przyrządów półprzewodnikowych
    18. Badania w laboratoriach specjalistycznych
    19. Legalizacja narzędzi pomiarowych
    20. Przyszłość metrologii półprzewodnikowych przyrządów energoelektronicznych
    21. Badania urządzeń energoelektronicznych
    22. Napięcie probiercze przy badaniach urządzeń energoelektronicznych
12. ELEKTRONICZNE UKŁADY STERUJĄCE
    1. Struktura układów sterujących
    2. Regulatory elektroniczne w układach sterowania
    3. Regulatory o sztucznej inteligencji
    4. Układy przekształtnikowe z otwartymi i zamkniętymi pętlami regulacji
    5. Klasyfikacja układów sterowania i regulacji
    6. Zadajniki
    7. Sterowniki urządzeń półprzewodnikowych
    8. układy sterujące przyrządami półprzewodnikowymi
    9. Sterowanie tranzystorami bipolarnymi
    10. Sterowanie tranzystorami polowymi MOSFET
    11. Sterowanie tranzystorami elektrostatycznymi
    12. Sterowanie tranzystorami bipolarnymi z izolowaną bramką
    13. Sterowanie tyrystorami obukierunkowymi
    14. Sterowanie fototyrystorów
    15. Sterowanie tyrystorami wyłączalnymi
    16. Sterowanie tyrystorami z zintegrowaną bramką
    17. Sterowanie tyrystorami polowymi MCT
    18. Układy załączania bramkowego tyrystorów połączonych grupowo
    19. Sterowanie z modulacją szerokości impulsów
    20. Sterowanie wektorowe
    21. Cyfrowe układy sterowania i specjalizowane układy scalone (ASIC)
    22. Układy sterowanie jako zabezpieczenia przetężeniowe przyrządów półprzewodnikowych
    23. Sterowanie inteligentnymi modułami energetycznymi
    24. Mikroprocesor
    25. Mikroprocesory w układach sterowania przekształtników
    26. Przetworniki sygnałów
    27. Przetworniki i czujniki pomiarowej
    28. Zasilacze układów sterujących
    29. Budowa układów sterujących
    30. Montaż powierzchniowy
    31. Zabezpieczenie układów sterowania przed zakłóceniami
    32. Kierunki rozwoju układów sterowania
13. PODSTAWOWE SKŁĄDNIKI URZĄDZEŃ ENERGOELEKTRONICZNYCH
    1. Zawory elektryczne stosowane w układach energoelektronicznych
    2. Transformatory przekształtnikowe
    3. Aparatura rozdzielcza
    4. Dławiki stosowane w urządzeniach energoelektronicznych
    5. Kondensatory energoelektroniczne
    6. Superkondensatory
    7. Obwody odciążające w układach półprzewodnikowych
    8. Sterowniki i układy scalone
    9. Aparatura pomiarowa i monitorująca
    10. Czujniki
    11. Układy zabezpieczające
    12. Bezpieczniki topikowe do zabezpieczania przyrządów półprzewodnikowych
    13. Szafy i obudowy układów przekształtnikowych
    14. Rozmieszczenie podzespołów układu przekształtnikowego w szafach
    15. Budowa modułowa i zwarta układów przekształtnikowych
    16. Połączenia główne układów przekształtnikowych
    17. Połączenia zewnętrzne o małych indukcyjnościach
    18. Konstrukcja kompletnego urządzenia przekształtnikowego
    19. Powietrzne układy chłodzenia
    20. Cieczowe układy chłodzenia
14. UKŁADY ENERGOELEKTRONICZNE
    1. Przekształcanie energii elektrycznej
    2. Urządzenia energoelektroniczne
    3. Podział urządzeń energoelektronicznych
    4. Podział przekształtników pod względem rodzaju komutacji
    5. Wymuszone wyłączanie tyrystorów konwencjonalnych
    6. Prostownik jednofazowy
    7. Prostownik wielofazowy
    8. Przekształtnik sterowany
    9. przekształtnik półsterowany
    10. Praca falownikowa przekształtnika sterowanego
    11. Przekształtnik rewersyjny
    12. Dioda zerowa w przekształtniku
    13. Przeszkształtniki prądu zmiennego
    14. Bezpośrednie przekształtniki częstotliwości o komutacji zewnętrznej
    15. Bezpośrednie przekształtniki częstotliwości o komutacji wewnętrznej
    16. Pośrednie przekształtniki częstotliwości o komutacji zewnętrznej
    17. Energoelektroniczne sterowniki prądu przemiennego
    18. Energoelektroniczne sterowniki prądu przemiennego
    19. Energoelektroniczne łączniki prądu przemiennego
    20. Przekształtniki prądu stałego na prąd przemienny
    21. Falowniki napięcia
    22. Falowniki prądu
    23. Regulacja napięcia falownika
    24. Falowniki wielopoziomowe
    25. Przekształtniki rezonansowe
    26. Przekształtniki quasi-rezonansowe
    27. Przekształtniki multirezonansowe
    28. Przekształtniki matrycowe
    29. Przekształtniki prądu stałego
    30. Regulacja napięcia w przekształtnikach prądu stałego
    31. Przekształtniki impulsowe prądu stałego
    32. Przekształtniki pośrednie prądu stałego
    33. Energoelektroniczne łączniki prądu stałego
    34. Filtry wygładzające w układach energoelektronicznych
15. PROJEKTOWANIE I BUDOWA URZĄDZEŃ ENERGOELEKTRONICZNYCH
    1. Zintegrowany sposób projektowania urządzeń energoelektronicznych
    2. Symulacja komputerowa układów energoelektronicznych
    3. Wspomaganie komputerowe projektowania układów energoelektronicznych
    4. Współpraca równoległa przyrządów półprzewodnikowych
    5. Współpraca szeregowa przyrządów półprzewodnikowych
    6. Zabezpieczanie przeciweksplozyjne przyrządów dużej mocy
    7. Zabezpieczanie od skutków zwarć tranzystorów IGBT
    8. Ograniczanie stromości narastania prądu w przyrządach półprzewodnikowych
    9. Koordynacja izolacji
    10. Rodzaje izolacji
    11. Wpływ narażeń przepięciowych na przyrządy półprzewodnikowego
    12. Zabezpieczenie przyrządów półprzewodnikowych od przepięć komutacyjnych
    13. Zabezpieczenie przyrządów półprzewodnikowych od przepięć zewnętrznych
    14. Ograniczenie stromości narastania napięcia blokowania w przyrządach półprzewodnikowych
    15. Oddziaływanie wzajemne w układach przekształtnikowych
    16. Kompatybilność elektromagnetyczna
    17. Układy sterowania i regulacji
    18. Przekształtniki o twardym i miękkim przełączaniu przyrządów półprzewodnikowych
    19. Konstrukcja i montaż urządzeń energoelektronicznych
    20. Zestawy obwodów głównych
    21. Obudowy urządzeń energoelektronicznych
    22. Niezawodność układów energoelektronicznych
    23. Systemowa integracja przekształcania energii elektrycznej
16. ZASTOWANIE URZĄDZEŃ ENEGROELKTRONICZNYCH
    1. Zastosowanie urządzeń energoelektronicznych w gospodarce
    2. Zastosowanie przekształtników
    3. Przekształtniki w urządzeniach powszechnego użytku
    4. Zastosowanie przyrządów półprzewodnikowych w technice oświetleniowej
    5. Napędy energoelektroniczne
    6. Napędy energoelektroniczne z silnikami prądu stałego
    7. Napędy energoelektroniczne z silnikami prądu przemiennego
    8. Urządzenia enegroelektroniczne w trakcji
    9. Układy energoelektroniczne w pojazdach samochodowych
    10. Napędy obrabiarek
    11. Serwonapędy
    12. Energoelektroniczne sterowniki napięcia przemiennego
    13. Zasilacze napięcia stałego małej mocy
    14. Półprzewodnikowe układy wzbudzenia maszyn synchronicznych
    15. Energoelektroniczny napęd pomp i wentylatorów
    16. Kaskady przekształtnikowe
    17. Urządzenia energoelektroniczne w górnictwie
    18. Napędy energoelektroniczne w walcowniach
    19. Napędy energoelektroniczne dźwignic
    20. Urządzenia energoelektroniczne na statkach
    21. Układy energoelektroniczne w technice lotniczej i kosmicznej
    22. Urządzenia energoelektroniczne w przemyśle papierniczym i poligraficznym
    23. Układy energoelektroniczne w maszynach włókienniczych
    24. Urządzenia energoelektroniczne w rolnictwie i przemyśle spożywczym
    25. Układy energoelektroniczne w urządzeniach elektrotermicznych
    26. Zastosowanie tranzystorów i tyrystorów w grzejnictwie indukcyjnym
    27. Przekształtniki spawalnicze
    28. Urządzenia zasilające galwanizerne
    29. Przekształtniki w procesach elektrochemicznych i elektrometalurgicznych
    30. Prostowniki do ładowania baterii akumulatorów
    31. Aparatura elektromedyczna
    32. Systemy bezprzerwowego zasilania napięciem przemiennym
    33. Systemy przesyłowe energii elektrycznej liniami prądu stałego o wysokim napięciu (HVDC)
    34. Układy elastycznego przesyłu prądu przemiennego FACTS
    35. Systemy elektroenergetyczne
    36. Odnawialne źródła energii i energoelektronika
    37. Ogniwa paliwowe
    38. Magazynowanie energii
    39. Jakość energii elektrycznej a urządzenia energoelektroniczne
17. EKSPLOATACJA URZĄDZEŃ ENERGOELEKTRONICZNYCH
    1. Energoelektronika i ochrona środowiska
    2. Warunki eksploatacji
    3. układ przekształtnikowy a sieć zasilająca
    4. Normalne warunki środowiskowe
    5. Specjalne warunki pracy
    6. Przyjęcie urządzenia do eksploatacji
    7. Ochrona przeciwporażeniowa urządzeń energoelektronicznych
    8. Rodzaje ochrony
    9. Ochrona przed dotykiem bezpośrednim
    10. Ochrona przed dotykiem pośrednim
    11. Bezpieczeństwo przeciwpożarowe w urządzeniach energoelektronicznych
    12. Skuteczność systemu chłodzenia
    13. Klimatyzacja urządzeń energoelektronicznych
    14. Montaż przyrządów energoelektronicznych w układach
    15. Okresowe pomiary kontrolne
    16. Mechanizmy uszkodzeń przyrządów energoelektronicznych
    17. Awarie dyskretnych przyrządów półprzewodnikowych dużej mocy
    18. Awarie modułów z tranzystorami IGBT
    19. Wymiana uszkodzonych przyrządów półprzewodnikowych
    20. Diagnostyka urządzeń przekształtnikowych
    21. Usterki obwodu głównego przekształtnika
    22. Usterki w układzie sterowania
    23. Konstrukcja przekształtnika a usuwanie usterek
    24. Zakłócenia radioelektryczne
    25. Siły dynamiczne
    26. klasy odporności przekształtnikach
    27. Promieniowanie jonizujące a półprzewodnikowe przyrządy mocy
    28. Recykling