Azotek galu odegra taką rolę w elektronice i optoelektronice XXI wieku, jaką pełnił krzem w ostatnich dziesięcioleciach XX wieku. 
Pracę poświęcono nowej i dynamicznie rozwijającej się metodzie selektywnej epitaksji (SAE) GaN oraz jej zastosowaniu do wytwarzania struktur przyrządowych lub warstw GaN o obniżonej gęstości defektów. Omówiono, inne niż SAE, metody doskonalenia jakości warstw epitaksjalnych GaN, takie jak: optymalizacja parametrów procesu osadzania, poszukiwanie nowych podłoży, alternatywnych do Al2O3 i SiC, lepiej dopasowanych do azotków oraz opracowywanie nowych metod wytwarzania warstw. 
Przedstawiono zastosowanie techniki SAE GaN do selektywnego wytwarzania struktur przyrządowych nowej generacji, takich jak mikrodyskowe i mikropryzmowe wnęki laserowe, heksagonalne mikrościenne lasery, światłowody GaN, matryce polowych emiterów elektronów oraz emiter GaN bipolarnego tranzystora heterozłączowego SiC. Praca oddaje współczesny stan wiedzy w zakresie selektywnej epitaksji azotku galu. 
 
Spis treści:

Wykaz ważniejszych oznaczeń 
 
1. Wstęp 
 
2. Epitaksja GaN na planarnych, heteroepitaksjalnych podłożach 
2.1. Podłoża stosowane do epitaksji GaN 
2.2. Doskonalenie technologii osadzania warstw GaN na podłożach szafirowych 
2.3. Technologia osadzania warstw GaN na alternatywnych podłożach tlenkowych 
2.4. Osadzanie GaN na podłożach krzemowych 
2.5. Grube warstwy GaN osadzane techniką HVPE 
2.6. Wielokrotna epitaksja warstw GaN 
2.7. Defekty w planarnych warstwach GaN 
2.7.1. Rodzaje dyslokacji wstępujących w warstwach GaN 
 
3. Selektywna epitaksja 
3.1. Uzgodniony wzrost na częściowo zamaskowanym podłożu 
3.2. Osadzanie na strukturyzowanym podłożu 
3.3. Selektywny wzrost warstwy epitaksjalnej sterowany światłem laserowym 
3.4. Czynniki wpływające na proces selektywnej epitaksji 
3.4.1. Selektywność wzrostu 
3.4.2. Mechanizmy selektywnego osadzania warstw epitaksjalnych 
 
4. Selektywna epitaksja GaN 
4.1. Osadzanie GaN na strukturyzowanych podłożach krzemowych 
4.2. Czynniki wpływające na proces SAE GaN 
 
5. Techniki epitaksjalne równoległym do podłoża modem wzrostu 
5.1. Technika ELO inicjowana spontaniczną ewolucją ścian 
5.2. Technika sublimacyjna 
5.3. Technika pendeoepitaksji 
5.4. Jedno- i dwuetapowy proces ELO 
5.5. Epitaksja na mostkach powietrznych 
5.6. Epitaksja na periodycznie trawionych heteroepitaksjalnych podłożach 
5.7. Proces ELO w trawionych i przesuwanych homoepitaksjalnych rowkach 
5.8. Bezpośrednia lateralna epitaksja 
5.9. Technika ELO wykorzystująca maski metaliczne 
 
6. Zastosowanie selektywnej epitaksji GaN do wytwarzania przyrządów optoelektronicznych i mikroelektronicznych 
6.1. Mikrodyskowe i mikropryzmowe wnęki rezonansowe 
6.2. Heksagonalne lasery mikrościenne 
6.3. Światłowody GaN 
6.4. Matryce polowych emiterów elektronów 
6.5. Heterozłączowe tranzystory bipolarne 
6.6. Przewodność cieplna struktur SAE GaN 
 
7. Podsumowanie 
 
Literatura 
 
Selective epitaxy of gallium nitride in the technology of semiconductor devices